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CCD和CMOS的區(qū)別--影像測(cè)量硬件選擇

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發(fā)表于 2008-3-21 09:13:01 | 只看該作者 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
有鑒于許多網(wǎng)友詢問(wèn) CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時(shí)撇開(kāi)復(fù)雜的技術(shù)文字,透過(guò)簡(jiǎn)單的比較來(lái)看這兩種不同類型,作用相同的影像感光元件。
  H. \+ u2 Z/ r# l  不管,CCD 或 CMOS,基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進(jìn)行光與電的轉(zhuǎn)換。這種轉(zhuǎn)換的原理與各位手上具備“太陽(yáng)電能”電子計(jì)算機(jī)的“太陽(yáng)能電池”效應(yīng)相近,光線越強(qiáng)、電力越強(qiáng);反之,光線越弱、電力也越弱的道理,將光影像轉(zhuǎn)換為電子數(shù)字信號(hào)。
0 k3 {, y7 y7 E0 h5 w6 ?/ u9 r/ z# R# T* G
  比較 CCD 和 CMOS 的結(jié)構(gòu),ADC的位置和數(shù)量是最大的不同。簡(jiǎn)單的說(shuō),按我們?cè)谏弦恢v“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之內(nèi)容。CCD每曝光一次,在快門(mén)關(guān)閉后進(jìn)行像素轉(zhuǎn)移處理,將每一行中每一個(gè)像素(pixel)的電荷信號(hào)依序傳入“緩沖器”中,由底端的線路引導(dǎo)輸出至 CCD 旁的放大器進(jìn)行放大,再串聯(lián) ADC 輸出;相對(duì)地,CMOS 的設(shè)計(jì)中每個(gè)像素旁就直接連著 ADC(放大兼類比數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換器),訊號(hào)直接放大并轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。2 b! _' w& g2 M9 M( K, G7 h# ~

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: Z# n8 ^" J( y  R5 T6 a0 ?- h: F0 A' Y# e
3 S6 u+ @$ f& o. b3 u: X* J/ g" M/ `; p; ^
兩者優(yōu)缺點(diǎn)的比較3 k5 I0 C- s' d& y: A
! y+ h2 k  k* |& Z5 K+ l
CCD CMOS
( D! X8 K2 P) E6 L$ A' N設(shè)計(jì) 單一感光器 感光器連接放大器
8 j; W& t# ]' V' u靈敏度 同樣面積下高 感光開(kāi)口小,靈敏度低
7 w/ ]; O' [9 R- ], Y/ {3 {. I成本 線路品質(zhì)影響程度高,成本高 CMOS整合集成,成本低
6 i  f  S% v9 g0 y解析度 連接復(fù)雜度低,解析度高 低,新技術(shù)高
2 w. n; @& E3 q% g3 E  Z. s( I噪點(diǎn)比 單一放大,噪點(diǎn)低 百萬(wàn)放大,噪點(diǎn)高 7 l+ z# b0 R' f2 E5 V# u6 _6 P3 y
功耗比 需外加電壓,功耗高 直接放大,功耗低 - `# d- d1 U& D2 D9 h2 @4 X& [

4 ^, }4 L/ w$ y8 }& b7 }  由于構(gòu)造上的基本差異,我們可以表列出兩者在性能上的表現(xiàn)之不同。CCD的特色在于充分保持信號(hào)在傳輸時(shí)不失真(專屬通道設(shè)計(jì)),透過(guò)每一個(gè)像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理,可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡(jiǎn)單,沒(méi)有專屬通道的設(shè)計(jì),因此必須先行放大再整合各個(gè)像素的資料。, r* X4 E% d, T

" ?' ^% _& D6 t2 p* T' g) M  整體來(lái)說(shuō),CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計(jì)的應(yīng)用,反應(yīng)在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪點(diǎn)與耗電量等,不同類型的差異:9 v& W) J6 G' R9 [- p1 A
6 c7 s3 e1 b" N  m" ~
  ISO 感光度差異:由于 CMOS 每個(gè)像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路,過(guò)多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積,因此 相同像素下,同樣大小之感光器尺寸,CMOS的感光度會(huì)低于CCD。* Z- c7 M4 L0 |- t( S1 Z/ b8 ~2 g

8 E+ j. F; X. |- O2 c+ n+ B  成本差異:CMOS 應(yīng)用半導(dǎo)體工業(yè)常用的 MOS制程,可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中,節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失;相對(duì)地 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出資訊,必須另辟傳輸通道,如果通道中有一個(gè)像素故障(Fail),就會(huì)導(dǎo)致一整排的 訊號(hào)壅塞,無(wú)法傳遞,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟傳輸通道和外加 ADC 等周邊,CCD的制造成本相對(duì)高于CMOS。
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  解析度差異:在第一點(diǎn)“感光度差異”中,由于 CMOS 每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜,其感光開(kāi)口不及CCD大, 相對(duì)比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時(shí),CCD感光器的解析度通常會(huì)優(yōu)于CMOS。不過(guò),如果跳脫尺寸限制,目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬(wàn) 像素 / 全片幅的設(shè)計(jì),CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢(shì)可以克服大尺寸感光原件制造上的困難,特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
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4 Q: X, h7 f0 L0 l# _/ ^! m  噪點(diǎn)差異:由于CMOS每個(gè)感光二極體旁都搭配一個(gè) ADC 放大器,如果以百萬(wàn)像素計(jì),那么就需要百萬(wàn)個(gè)以上的 ADC 放大器,雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品,但是每個(gè)放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達(dá)到放大同步的效果,對(duì)比單一個(gè)放大器的CCD,CMOS最終計(jì)算出的噪點(diǎn)就比較多。
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- k! L5 f3 [: H9 B7 p7 d  耗電量差異:CMOS的影像電荷驅(qū)動(dòng)方式為主動(dòng)式,感光二極體所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動(dòng)式, 必須外加電壓讓每個(gè)像素中的電荷移動(dòng)至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平,因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度,高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。" \9 u4 H7 l+ X  W

! u3 t. A0 P: Y6 I% n8 w  盡管 CCD 在影像品質(zhì)等各方面均優(yōu)于CMOS,但不可否認(rèn)的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由于數(shù)碼影像的需求熱烈,CMOS的低成本和穩(wěn)定供貨,成為廠商的最愛(ài),也因此其制造技術(shù)不斷地改良更新,使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進(jìn)目標(biāo),以期進(jìn)入照相手機(jī)的行動(dòng)通訊市場(chǎng);CMOS系列,則開(kāi)始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統(tǒng)合,藉由后續(xù)的影像處理修正噪點(diǎn)以及畫(huà)質(zhì)表現(xiàn), 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功,足見(jiàn)高速影像處理晶片已經(jīng)可以勝任高像素 CMOS 所產(chǎn)生的影像處理時(shí)間與能力的縮短;另外,大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數(shù)碼機(jī)身為號(hào)召,CMOS未來(lái)跨足高階的影像市場(chǎng)產(chǎn)品,前景可期。
' X: P$ I4 a, ^/ j& _; l    專業(yè)測(cè)量以及高級(jí)影像測(cè)量還是主要以CCD為主。
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發(fā)表于 2008-3-21 13:34:30 | 只看該作者

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樓主知道的好清楚哦,我只知道CCD比CMOS成像質(zhì)量要好
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 樓主| 發(fā)表于 2008-3-29 21:37:21 | 只看該作者
過(guò)獎(jiǎng)!謝謝!大家一起分享了

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