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【特材知識】鹽酸對Hastelloy B-3的腐蝕影響

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發表于 2016-4-14 16:26:38 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
【特材知識】鹽酸對Hastelloy B-3的腐蝕影響. l" J7 A( M# {8 }
        鹽酸屬還原性強酸,大多金屬或合金在鹽酸介質中都會因活化腐蝕而溶解,工程耐鹽酸腐蝕材料僅限于Ti、Zr、Ta、Nb、W以及鎳基耐蝕合金。HastelloyB-3是目前耐還原性介質腐蝕最好的鎳基耐蝕合金,已廣泛應用于醋酸生產工藝及鹽酸儲存裝置。通過不同濃度與溫度鹽酸中的浸泡腐蝕試驗與電化學試驗,研究濃度與溫度對B-3合金腐蝕行為,了解B-3的材質性能。
. ]# Q0 v/ L8 [9 H8 w* @4 D        鹽酸濃度對B-3腐蝕速率的影響5 m( Y  Q1 B& B; T( P( H2 m" H
        圖4.1為80℃下,HastelloyB-3在5%、15%、20%、30%、37%不同濃度鹽酸中的腐蝕速率。: h$ f7 {. M8 F! |( K% `) X) K
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        圖4.1(a)為80℃,HastelloyB-3腐蝕速率隨鹽酸濃度的變化,隨著鹽酸濃度提高,腐蝕速率上升,濃度低于20%,上升緩慢;高于20%上升速度加快。由圖4.1(b)為80℃,HastelloyB-3每個周期腐蝕速率隨鹽酸濃度的變化。同一鹽酸濃度下,隨著試驗時間延長,腐蝕速率變化不大,表明腐蝕過程中,合金表面狀態比較穩定。37%鹽酸中HastelloyB-3腐蝕速率仍然低于0.55mm/a,表明在純鹽酸中具非常好的耐蝕性。
6 a0 Q$ ?  O, C        圖4.2 是80℃中 Hastelloy B-3在5%、15%、20%、30%、37%不同鹽酸濃度中浸泡144h后的微觀腐蝕形貌。
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        5%HCl中晶界處、孿晶界處處有輕微的腐蝕痕跡,碳化物沒有腐蝕;15%HCl中晶界和孿晶處有較輕的腐蝕痕跡,并且晶界處的碳化物明顯脫落;20%HCl中可以看到明顯的碳化物帶,晶界和孿晶界有明顯的腐蝕,并且碳化物脫落,形成明顯的點蝕源頭;30%HCl中晶內的碳化物明顯脫落,發生明顯點蝕現象;37%HCl中點蝕進一步擴展,點蝕的數量和尺寸明顯增加。: C5 g* q% l: {( ^1 x
         碳化物帶處容易形成元素的富集,造成能量的升高,腐蝕行為優先發生。同時由于碳化物為富鉬相,碳化物的脫落造成周圍鉬元素的貧瘠,鈍化膜進一步遭到破壞,從而使腐蝕進一步擴展。隨著鹽酸濃度的上升,晶界和碳化物帶的腐蝕痕跡明顯加深。隨著鹽酸濃度逐漸上升,腐蝕痕跡逐漸加深,點蝕程度逐漸加深。
2 K' K5 J) ~3 j9 r+ m        鹽酸濃度對B-3電化學行為的影1 ?7 X9 ~. Y# {1 q$ B
        圖4.3為室溫下,Hastelloy B-3在5%、15%、20%、30%、37%HCl中的極化曲線。
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        由圖4.3可以看出,隨著鹽酸濃度逐漸升高,極化曲線整體下移,自腐蝕電位下降,過鈍化電位下降,但鈍化區長度與斜率變化不大,鈍化電流密度也未顯著增加,表明隨著鹽酸濃度升高,合金表面鈍化膜的狀態比較穩定。同時鈍化區域電流密度逐漸增加,即在相同的鈍化電位下,鈍化電流密度逐漸增加,鈍化膜穩定性逐漸下降。鈍化膜穩定性下降,材料在鹽酸中的腐蝕速率逐漸增加。 5 Y$ ~8 Z! j. h
        圖4.4為HastelloyB-3在室溫下,不同濃度鹽酸中電化學實驗后的微觀腐蝕形貌。
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8 t- A+ m; {7 |, g$ ]6 d        由圖4.4可以看出,位于晶界處的碳化物首先脫落形成點蝕的源頭,并且隨著電化學實驗的進行,點蝕坑深度逐漸增大。在低濃度的鹽酸中,材料有明顯的點蝕坑,晶界和孿晶界并不明顯;隨著鹽酸濃度升高,材料中有明顯的點蝕坑,晶界和孿晶界也有明顯被腐蝕的痕跡。 * I+ P" s; |6 Q% @
        在鹽酸環境中,材料碳化物和晶界容易形成元素的富集,造成能量的升高,在腐蝕過程中容易形成“大陰極小陽極”的現象,腐蝕容易在晶界處發生。碳化物為富鉬相,碳化物的溶解造成周圍區域鉬元素的貧瘠,鈍化膜穩定性進一步遭到破壞,從而使腐蝕進一步發展。 ( H2 t7 C$ ^/ X8 Z1 p+ e
        溫度對B-3腐蝕速率的影響1 ]# v/ h0 o& c" N! b
        圖4.5為15%HCl中,Hastelloy B-3在室溫、40℃、60℃、80、98℃條件下的腐蝕速率。
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, I8 t, Q+ u( @  W6 x7 s      圖4.5(a)為腐蝕速率隨溫度變化曲線,當溫度低于60℃時,腐蝕速率增加緩慢,當溫度大于60℃時,腐蝕速率急劇增加。98℃下,15%HCl中,HastelloyB-3的腐蝕速率為0.31mm/a,具有一定的耐蝕性能。圖4.5(b)為每個周期腐蝕速率的變化曲線,隨著時間的延長,室溫、40℃、60℃、80℃條件下,腐蝕速率基本不變;98℃條件下,腐蝕速率有小幅下降。
# I3 p4 b" ^0 |        圖4.6為15%HCl中,Hastelloy B-3 在室溫、60℃、80℃、98℃不同溫度浸泡144h 后的微觀腐蝕形貌。
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       在室溫條件下,晶界和孿晶界有輕微腐蝕痕跡,碳化物未被腐蝕;在60℃下,晶界和孿晶界有較輕的腐蝕痕跡,碳化物脫落,形成點蝕的源頭;在80℃下,晶界和孿晶界有明顯腐蝕痕跡,碳化物脫落,出現點蝕現象;在98℃下,晶界和孿晶界腐蝕痕跡進一步加深,碳化物大量脫落,出現嚴重點蝕。
' v" R; x2 P) I2 S        溫度對B-3電化學行為的影響
& g9 m# Z2 {3 C" c2 \$ y- ?* {" Q        圖4.7在15%HCl中,Hastelloy B-3在不同溫度中的極化曲線。& P3 K0 a8 n" x% P2 i! s

" z7 F( }3 B9 H. F, ?        隨著溫度上升,合金的自腐蝕電位逐漸升高,過鈍化電位下降,鈍化區區域變短,試樣很容易進入過鈍化區,形成過鈍化腐蝕;鈍化區曲線斜率減小,電位變化對電流影響增大,鈍化膜穩定性減弱。) z$ U+ K* b8 m# n9 y: ^  r
        圖4.8為不同溫度條件下,HastelloyB-3在15%HCl中的微觀腐蝕形貌。. [/ U8 d3 l, n$ M1 U

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. ?& w* h1 r8 v4 {        圖4.8可以看出,經過電化學實驗,材料中的析出物脫落,形成了點蝕的源頭。在室溫條件下,晶界、孿晶界和碳化物明顯腐蝕。隨著溫度上升,晶界和孿晶界腐蝕痕跡明顯加深,點蝕坑數量和尺寸明顯增加。+ }0 q) q5 ?3 {0 q  a. b6 P, g
        HastelloyB-3試驗的總結6 D0 u3 |, ]  {: m
        實驗結果可以看出,鹽酸濃度和溶液溫度對HastelloyB-3腐蝕速率和極化曲線的影響有相似的地方,其中包括:
* W% z& ^- G5 A/ d/ a% n8 t& H. P        ①鹽酸濃度升高或者溫度上升,材料的腐蝕速率增加;
8 L6 {: q) E  a+ w, _+ ]. n        ②鹽酸濃度升高或者溫度上升,鈍化區域變窄,鈍化區曲線斜率變小;. U# j1 L5 u) u$ S+ l, {
        ③鹽酸濃度升高或者溫度上升,過鈍化電位下降; 2 D% U  `; X. r2 p. E9 _
        但兩者對極化曲線的影響是相反的,主要區別如下:
- h9 N/ Y' V7 H$ V/ l0 i        ①鹽酸濃度升高,自腐蝕電位下降;
  H5 J3 s# D  m  A, h        ②溶液溫度升高,自腐蝕電位也增加。
* G9 c2 d$ ?, q        因此,兩者對HastelloyB-3在鹽酸中的腐蝕影響程度是不同,與鹽酸濃度相比,溫度是相對更重要的影響因素。因為溫度升高使自腐蝕電位升高的同時,也使過鈍化電位下降,兩者之間的鈍化區域必然變窄。而鹽酸濃度使自腐蝕電位下降的同時也使過鈍化電位下降,鈍化區域沒有明顯變化。即對于Hastelloy B-3,溫度對極化曲線的影響程度大于鹽酸濃度。
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發表于 2016-4-14 20:08:51 | 只看該作者
太專業了,看不懂
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