中科院光電所激光工程中心研制成功高消光比雙電光開(kāi)關(guān)

寂靜天花板

近日，基于自由電子激光器的應(yīng)用需求，中科院光電研究所激光工程中心研發(fā)了一套高消光比雙電光驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。相關(guān)技術(shù)也已獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利。該高消光比雙電光驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)系統(tǒng)采用半波電壓較低的RTP晶體作為電光開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)的技術(shù)指標(biāo)如下：
1)脈沖上升沿及下降沿小于10ns；

2)脈沖寬度：10μs-1ms可調(diào)，脈寬抖動(dòng)＜10 ns；

3)重復(fù)頻率1Hz-1kHz可調(diào)；

4)驅(qū)動(dòng)高壓從1200V~2000V可調(diào)，計(jì)算機(jī)顯示和控制；

5)消光比大于2000:1。

        高消光比電光驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)技術(shù)因具有開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)徹底和口徑大等特點(diǎn)，在調(diào)Q激光器、超快激光器的研究領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。目前電光Q開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)源已經(jīng)成功應(yīng)用在立體平板印刷術(shù)、硬盤(pán)電阻微調(diào)、存儲(chǔ)修復(fù)、通孔修復(fù)、通孔打鉆、印刷電路板制作、晶片雕刻等方面。

        此技術(shù)由麻云鳳副研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)。