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前沿科技之新的磁隧道結技術

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發表于 2013-1-6 19:52:56 | 只看該作者 |倒序瀏覽 |閱讀模式
隨機存取存儲器(RAM)是一種快速電子設備,可在計算機上臨時存儲數據。傳統的RAM基于電流。為了研發出更節能,更高效,容量更大的RAM,硬件研發人員開始把注意力轉到了基于磁場的RAM上。然而,想要縮小基于磁場RAM的體積,熱不穩定性會成為障礙。
2 Z; t5 S& {4 U; ~3 Q/ i新加坡科技研究局數據存儲研究所(A*STAR Data Storage Institute)的科學家找到了一種解決方法,也許可以讓小型磁存儲器在較高的溫度下保持穩定,同時耗電量更低。這意味著更多的數據能以更低的價格存儲在一張芯片上。研究人員把磁隧道結(MTJ)應用到了存儲器中。之前的研究表明,電場只有作用在相當大的設備(7微米)上可以改進磁隧道結的性質,但體積較大的結構讀寫速度較慢,也不容易與其他設備兼容。
( I; u& n$ }- f6 D) t' P4 Q
* i4 \# @6 r! I1 d8 S3 `( J  s數據存儲研究所的科學家用CoFeB-MgO制成150納米的MTJ,連在電極兩端。這種MTJ體積更小,也可儲存更多的信息。新的磁存儲器可以把改變磁化的磁場需求降低30%,所以在存儲器上記錄數據所需的電流密度也降低了。1 w/ N5 t* b  W7 y
& y4 W: B( v5 k, C5 Z
展望:$ I0 d( |, O: D( ?
新的設備可以改進數據的復制速度。也就是說,從移動硬盤把數據轉移到計算機里的時間會變得更短,硬盤讀取速度也會更快。
/ w) V, m1 J) Q9 v# Z$ s' ~4 e: v0 P
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2#
發表于 2013-1-6 20:01:36 | 只看該作者
俺們期待新型計算機的到來!
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